小功率LED手電筒驅動(dòng)芯片ic
如果您對該產(chǎn)品感興趣的話(huà),可以
產(chǎn)品名稱(chēng): 小功率LED手電筒驅動(dòng)芯片ic
產(chǎn)品型號: LED手電驅動(dòng)
產(chǎn)品展商: 其它品牌
產(chǎn)品文檔: 無(wú)相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
小功率LED手電筒驅動(dòng)芯片ic 這里是把1W以下的LED歸為小功率范疇。目前LED手電常用的是1W 3W 5W左右居多。但是小功率LED手電也并非沒(méi)有市場(chǎng)。也有很多LED手電產(chǎn)品的定位就是在0.5W左右甚至更低功率其作用僅僅是輔助照明即可。所以主要針對這類(lèi)需求給大家做點(diǎn)專(zhuān)題希望對大家做設計有所幫助。
小功率LED手電筒驅動(dòng)芯片ic
的詳細介紹
小功率LED手電筒驅動(dòng)芯片ic
在此先說(shuō)一下小功率LED的定義，我們這里是把1W以下的LED歸為小功率范疇。
目前LED手電常用的是1W/3W/5W 左右居多。但是小功率LED手電也并非沒(méi)有市
場(chǎng)。也有很多LED手電產(chǎn)品的定位就是在0.5W左右甚至更低功率其作用僅僅是
輔助照明即可。我想針對這類(lèi)需求的客戶(hù)給大家做點(diǎn)專(zhuān)題也是有必要的。
目前適合小功率LED驅動(dòng)方案的驅動(dòng)芯片可以選擇DC升壓芯片、脈沖式LED驅動(dòng)
或者小功率的恒流芯片。其中脈沖式LED驅動(dòng)只近幾年才興起的新技術(shù)，其它
的則比較被廣大工程所熟知。
一．DC升壓芯片
提到小功率的
LED驅動(dòng)芯片就不能不提下 DC升壓芯片,這類(lèi)IC的設計原本是做
為電池供電設備給其它部件供電之用。但是因為該類(lèi)IC是電感類(lèi)升壓芯片，比較
簡(jiǎn)單的拓撲結構和平實(shí)的價(jià)格再加上可以升壓穩壓。當接上LED后輸出電壓被拉
低到LED Vf（一般為3.3V~3.6V）正好可以導通。1.5V時(shí)負載電流可做到80~100mA
不是難事，當輸入達3V時(shí)輸出200~300mA甚至更高都沒(méi)有問(wèn)題。所以dc升壓芯片
3.6V、4.0V及5.0V電壓檔似乎廣為L(cháng)ED小功率應用所青睞。
一般電路結構
代表型號：
MH7011C、MH7011D、BL8505、BL8530、ME2100、501C、ME2108、CE8301等。
二．脈沖式升壓芯片
這是目前小功率LED手電的優(yōu)選方案，其核心問(wèn)題就是價(jià)格和性能。因為這
款I(lǐng)C簡(jiǎn)單的外圍（僅需1個(gè)色環(huán)電感）即可完成驅動(dòng)。算上整個(gè)外圍的成本可比
傳統DC升壓方案成本可節省30%左右。而且因為該類(lèi)IC輸出電流為脈沖輸出，可
以極大的延長(cháng)整個(gè)電路的續航能力。一般可高出1~2個(gè)小時(shí)的放電時(shí)間?？蛇m合
1節或是2節電池供電的場(chǎng)合。通過(guò)電感控制芯片的工作頻率100KHz～500KHz以適
應不同的電流輸出。一般1.5V可*多驅動(dòng)6顆并聯(lián)LED小燈。3V輸入則可驅動(dòng)11顆
并聯(lián)LED小燈。另0.5W/1W驅動(dòng)MH6205，外圍類(lèi)似dc升壓芯片成本更省效率更高。
三．脈沖式降壓芯片
目前只有
MH6203一個(gè)型號是這種類(lèi)型。該款I(lǐng)C的特點(diǎn)是低價(jià)（比傳統dc降壓
恒流芯片低了50%以上的成本）而且簡(jiǎn)易外圍再加上超長(cháng)的續航能力。這三點(diǎn)足
以值得每一位電路工程師好好關(guān)注。我們網(wǎng)上放有詳細的測試數據有興趣的可以
直接進(jìn)MH6203相關(guān)鏈接查詢(xún)，時(shí)間不多在此我就不廢話(huà)了。
四．降壓恒流驅動(dòng)芯片
型號為
MH7135分檔范圍為150mA~380mA分檔。無(wú)需任何外圍即可構成驅動(dòng)電
路?？芍苯犹鎿QTM6335A、AMC7135、L7135等型號。*低工作壓差為100mV內置軟
啟動(dòng)、熱保護及低壓保護等功能**性?xún)r(jià)比優(yōu)勢（近期會(huì )有新版上市，更寬的工
作電壓，更高的恒流精度）。但是這類(lèi)IC使用需要注意不要讓芯片
輸入電壓過(guò)高，因為該款I(lǐng)C內置功率管如果輸入過(guò)高會(huì )造成整個(gè)IC管耗加大從而
導致轉化效率降低。一般壓差建議在幾百個(gè)mV比較適合。
